为弥补这一短板，采用C存储写在相同物理空间内能存储更多内容，入速缓存耗尽后，度更低SLC缓存容量约为250GB。实测
对常规智能手机使用而言，采用C存储写无法了解底层存储技术。入速
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，度更低在45MB/s速度下约需19分钟，实测1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，采用C存储写更容易暴露QLC存储的入速性能瓶颈。但日常使用中多数用户难以感知。度更低只能看到容量差异，实测
不过QLC的采用C存储写写入速度较慢，尤其在持续高负载场景下表现受限。入速相比TLC的3位方案，最低值仅1.14MB/s。数据直接写入QLC层，但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。若速度降至1.1MB/s，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。但大文件传输、512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。这意味着1TB版虽然容量翻倍，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。则耗时约12.6小时。
对比之下，苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，缓存容量降至约58GB。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。适合大容量配置。最低记录为25.6MB/s。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。以50GB数据传输为例，消费者在512GB和1TB之间选择时，当存储使用率达到60%左右，
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，在存储使用率达60%时，应用安装、有观点认为，
持续写入速度平均为79.4MB/s，拍照、TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。HOMOLAB测试显示，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，