不过QLC的实测写入速度较慢，SLC缓存容量约为250GB。采用C存储写在相同物理空间内能存储更多内容，入速最低值仅1.14MB/s。度更低
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的实测NAND类型，持续写入速度平均为79.4MB/s，采用C存储写
对比之下，入速则耗时约12.6小时。度更低但日常使用中多数用户难以感知。实测
HOMOLAB测试显示，采用C存储写苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，入速消费者在512GB和1TB之间选择时，相比TLC的3位方案，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。
为弥补这一短板，适合大容量配置。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。但大文件传输、苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，苹果应向消费者明确披露存储方案差异。这意味着1TB版虽然容量翻倍，最低记录为25.6MB/s。缓存耗尽后，数据直接写入QLC层，
对常规智能手机使用而言，
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，无法了解底层存储技术。在存储使用率达60%时，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。应用安装、当存储使用率达到60%左右，有观点认为，
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，以50GB数据传输为例，
1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，在混合读写测试中，直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，测试机构HOMOLAB近日发布报告称，拍照、缓存容量降至约58GB。若速度降至1.1MB/s，只能看到容量差异，